项目进展！高通、泰科天润、华天科技、天科合达等企业有新动作
本周华为、微容科技、至讯创新、泰科天润、华天科技、天科合达等多地多企业传来蕞新动态，涉及被动元件、汽车芯片、EDA制造、半导体材料和设备、第三代半导体等领域。
珠海12英寸晶圆级TSV立体集成项目开工
据中国高新网消息，3月30日上午，珠海12英寸晶圆级TSV立体集成项目用地成功摘牌后，在位于珠海高新区唐家湾主园区的项目用地现场随即举行开工仪式。据悉，该项目将强力推动珠海高新区集成电路产业链强链补链，助力珠海突破集成电路领域关键核心技术，助推广东打造集成电路“第三极”。
公开资料显示，此次开工建设的12英寸晶圆级TSV立体集成项目，由西安微电子技术研究所、中国时代远望科技有限公司、中兴新通讯有限公司、深圳市创新投资集团有限公司、珠海格金六号股权投资基金共同投资设立，项目定位于行业领先的TSV立体集成科研生产基地，技术水平先进，产品类型多元化，覆盖3D TSV立体集成、2.5D系统集成等领域。
项目园区由格力集团旗下格创投资控股有限公司和珠海市高新建设投资有限公司共同成立的合资公司珠海格新建设开发有限公司实施代建，未来将打造成为国内半导体中道技术及立体集成技术产业高地。
总投资达1042.3亿，高通汽车芯片研发中心等33个项目签约成都
据投资成都消息，3月29日，2023成都市招商引智重大项目集中签约仪式”在天府新城会议中心举行。本次活动共签约重大项目和人才团队33个，投资总额达1042.3亿元。
其中，签约重大产业化项目27个、投资总额1038.5亿元，涵盖集成电路、新材料、新能源汽车等12个重点产业链；引进高通汽车芯片研发中心项目、青岛创新奇智工业机器人创新中心暨高技能人才培育基地项目等人才团队和合作平台类项目6个、投资总额3.8亿元。
高通成都研发中心项目是高通公司首次在四川落地的研发机构，将与高通汽车产业链上下游协同合作，共同推进自动驾驶和智能驾舱等产品领域的研发；该项目可进一步完善成都市电子信息产业生态，助力构建智能网联汽车产业生态圈。
至讯创新（二期）项目等54个科技项目签约无锡
3月28日，无锡高新区举办了2023年太湖湾科创城“科技引领 创享未来”一季度重大项目集中签约活动。现场共有54个科技项目签约落地，涵盖物联网、数字经济、集成电路、生物医药、低碳产业五个特色产业赛道。其中，重大科技项目4个，包括至讯创新项目、谷泰微电子总部项目、亚博汉机器视觉项目、远传融创总部项目等，总投资近10亿元。
至讯创新（二期）项目是至讯创新科技（无锡）有限公司与无锡高新区的又一战略合作项目。资料显示，至讯创新专注于中小容量存储芯片的研发，是国内新兴的存储器芯片解决方案提供商，产品应用于消费电子、IOT、监控、网络设备等领域。目前公司首款芯片—基于先进制程高可靠性二维NAND闪存产品已研制成功，正在大规模推向市场。
同时，微纳公司与一村资本合作成立的无锡同威淞灵基金，软发公司与华软资本合作成立的无锡华软基金，生科公司与富鑫创投合作成立的源鑫二期创投基金，太科园管理办与新投集团、4家国控公司合作成立的太湖湾科创城创投基金等5支基金签约。
无锡高新区在线支基金未来计划投资领域主要包括但不限于物联网、集成电路、生物医药、智能装备、汽车零部件、新能源等先进产业，高端软件和数字创意、高端商贸等现代服务业，人工智能、氢燃料电池、第三代半导体等前沿技术领域未来产业。
微容科技一期高端MLCC全面投产
近日，微容科技传来好消息，其在2022年扩产的一期B栋厂房已经顺利全面投产，公司MLCC年产能达到6000亿片。
据微容科技创始人陈伟荣透露，微容科技始终坚持科技领先、以高端产品为主导的高质量发展战略，重视高端人才引进和产品开发投入，连续4年研发费用超过销售收入的13%以上。特别是在高容量、车规等高端MLCC领域的突破获得广泛认可。
公开资料显示，自2017年成立以来，微容科技在高端MLCC领域取得跃进式突破，尤其是国内主要短板的高容量MLCC，微容已完成系列化开发，覆盖0201至1210各尺寸的各个容量。微容高容系列产品现在已经全面对标行业国际领先水平，射频与超微型系列MLCC产销量达到全球前三水平。
2022年，电子行业持续低迷，微容科技逆风而上，顺利完成B轮及B+轮近20亿的融资，成为2022年国内为数不多的“独角兽”。其资金用途主要为新扩建的B栋厂房和设备投入，将大幅增加高容量、车规等高端MLCC的产能并提升持续研发能力。蕞新消息显示，在今年一季度，微容科技前述扩产的一期B栋厂房已经顺利全面投产，公司MLCC年产能达到6000亿片。
陈伟荣表示：“微容近期将继续加大扩产技改的投入，达到15亿元，到2025年将实现销售额突破30亿元。高容和车规产品将在未来几年进入大丰收年，完全实现全系列批量出货，解决国内高端MLCC供应商缺乏选择性困境。”
陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安启用
3月30日，陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安启用。
中科创新消息称，该平台具备光子芯片制程中的光刻、刻蚀、蒸镀等多项核心工艺，将为光子产业项目提供产品研发、中试、检测等全流程技术服务。
先进光子器件工程创新平台占地30亩，总建筑面积约30000平方米，洁净厂房3000平方米，一期专业设备100余台（套），具备以GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）为主线英寸化合物芯片工艺服务能力的柔性中试平台；同时，为光电芯片、功率器件、射频器件等芯片设计企业、高校、科研院所提供外延生长、光刻、刻蚀、薄膜制备、清洗、减薄、抛光、划片等芯片制造全流程服务。
2015年10月，陕西省科技厅、西安高新技术开发区与中国科学院西安光机所联合西科控股、中科创星发起成立陕西光电子先导院。陕西光电子先导院先进光子器件创新平台系陕西省2022年重点建设工程。
天科合达碳化硅二期项目等落户徐州
根据徐州日报消息，3月20日，2023徐州（北京）投资洽谈会在北京举行。本次活动中，共有33个项目现场签约，协议投资总额达258.8亿元，其中就包括了天科合达的碳化硅项目。
据悉，天科合达于2006年9月由天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底研发、生产和销售的国家级高新技术企业。
2018年，天科合达在徐州投建了碳化硅衬底一期项目；来到2023年，在2023徐州（北京）投资洽谈会上，天科合达又签约了碳化硅衬底二期项目，进一步扩大在徐州的生产规模。
值得注意的是，2022年11月，在第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议暨首届第三代半导体徐州金龙湖峰会上，天科合达8英寸导电型碳化硅衬底正式发布，公司还同时宣布将于2023年实现8英寸导电型碳化硅衬底小规模量产。
除此之外，在当天活动上，北京天科合达半导体股份有限公司总经理杨建还宣布，将在徐州经开区启动子公司江苏天科合达二期年产16万片碳化硅衬底衬底以及三期100万片外延片项目建设。
根据京铭资本2月11日发布的消息，天科合达已顺利完成Pre-IPO轮融资，京铭资本体系京铭鸿瑞产业基金、历金铭科产业基金以及青岛汇铸英才产业基金等三支基金参与本轮融资，其他投资人包括国内多家知名投资机构。
技术突破，华为基本实现14nm以上EDA工具国产化
近日，华为传出消息，已攻克部分自主替代关键环节。在近日华为举办的“突破乌江天险 实现战略突围—产品研发工具阶段总结与表彰会”上，华为轮值董事长徐直军透露了几个关键信息点。
首先，围绕硬件开发、软件开发和芯片开发三条研发生产线，华为努力打造自主工具，完成了软件/硬件开发78款软件工具的替代，保障了研发作业的连续。
另外，华为芯片设计EDA工具团队联合国内EDA企业，共同打造了14nm以上工艺所需EDA工具，基本实现了14nm以上EDA工具国产化，预计2023年将完成对其全面验证。
此前3月17日，华为任正非在座谈会上表示，华为用三年时间内完成13000+颗器件的替代开发、4000+电路板的反复换板开发。据悉，今年4月华为的MetaERP将会宣誓完全用自己的操作系统、数据库、编译器和语言，做出自己的管理系统MetaERP软件。该软件已经历了公司全球各部门的应用实战考验，有把握推广。目前许多设计工具上，华为云也公开给社会应用，逐步克服了断供的尴尬。
泰科天润北京碳化硅总部项目开工奠基
据中关村顺义园消息，3月27日，北京市重点工程泰科天润总部项目举行开工奠基仪式。项目位于中关村顺义园第三代半导体产业基地，规划建筑面积4.6万平米，主要用于总部基地建设。
泰科天润半导体科技（北京）有限公司董事长陈彤表示，项目建成后，泰科天润将整体迁入中关村顺义园第三代半导体产业基地内，进一步统筹技术开发、工程化、标准制定、应用示范等环节，研发生产用于新能源汽车、国家电网等领域的功率器件。
消息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司是国内较早致力于第三代半导体功率器件制造，并实现产业化的领军企业。目前，该公司各功率等级的器件已在国内外市场广泛应用。
产能方面，据了解，目前泰科天润位于湖南的碳化硅6英寸线英寸片，预计今年年底完成扩产，实现年产10万片碳化硅6英寸片；位于北京的新研发总部和8英寸线英寸片/年产能。
此外，近年来，北京顺义区大力发展第三代半导体产业，出台《顺义区进一步促进第三代等先进半导体产业发展的若干措施》，持续推动一批标志性项目落地见效、扶持一批优秀领军企业快速发展。目前，顺义区已初步形成从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，三代半产业集群效应初显。
华天科技：投资28.58亿建设“高密度高可靠性先进封测研发及产业化”项目
3月26日，华天科技发布公告称，公司全资子公司华天科技（江苏）有限公司（以下简称“华天江苏”）投资28.58亿元进行“高密度高可靠性先进封测研发及产业化”项目的建设。
公告显示，高密度高可靠性先进封测研发及产业化项目将新建厂房及配套设施约17万m2，购置主要生产工艺设备仪器476台（套）。项目建成投产后形成Bumping84万片、WLCSP48万片、超高密度扇出UHDFO2.6万片的晶圆级集成电路年封测能力。项目建设期为5年，2023年6月至2028年6月。项目采用边建设边生产的方式进行。
公告指出，据国内外市场需求情况和国际封装技术发展趋势，本项目主要定位于市场需求量大、应用前景好的凸点封装、晶圆级封装、超高密度扇出封装，项目产品主要为Bumping、WLCSP、UHDFO等，应用于5G、物联网、智能手机、平板电脑、可穿戴设备、医疗电子、安防监控以及汽车电子等战略性新兴领域。
华天科技表示，华天江苏为公司根据战略规划和经营发展需要，在南京市浦口区设立晶圆级先进封装测试产业基地，由华天江苏承担建设“高密度高可靠性先进封测研发及产业化”项目。项目的实施能够提高公司晶圆级先进封装测试技术水平和生产能力，增强公司核心竞争力，从而进一步提升公司的整体竞争能力和盈利能力，实现公司持续稳定发展。
本项目建设期五年，短期内对公司财务和生产经营不会产生重大影响。项目建成投产后，将会进一步扩大公司先进封装测试产能规模，提高公司综合竞争力。
总投资超10亿元，芯启源DPU芯片总部项目签约落户杭州钱江经济开发区
3月28日，杭州钱江经济开发区举行2023年一季度余杭区重大项目集中签约暨重点工程现场推进会。
本次钱江经济开发区共签约项目16个，总投资约88.42亿元，涉及高端装备、智能制造、集成电路、智能物联等领域；4个项目集中开工，总投资17.09亿元。
其中芯启源DPU芯片总部项目总投资约10.22亿元，将建设DPU芯片总部基地，其中一期投资4.39亿元，预计2023年可实现年产值9700万元，年税收200万元；二期投资5.83亿元，预计到2027年年营收约73亿元，年税收达9.47亿元。
钙钛矿及泛半导体光伏全工艺段设备研发项目总投资7500万元，将从事1.1米×1.3米量级钙钛矿光伏组件的全工艺段实验设备的研发制造，达产后预计可实现年产值超1亿元，年税收超600万元。
总投资约4.6亿元，恒坤股份旗下安徽恒坤集成电路用先进材料项目封顶
据恒坤消息，3月26日，恒坤股份旗下安徽恒坤集成电路用先进材料项目封顶。
安徽恒坤项目位于合肥新站高新技术产业开发区，项目总投资约4.6亿元，占地约100亩，作为恒坤股份布局半导体材料领域的又一个重要基地，主要从事各种集成电路关键材料的研发及产业化，未来将辐射合肥、武汉、南京、上海、重庆、北京等地区的市场和客户。
官网显示，恒坤股份成立于1996年，公司已发展成为一家致力于半导体先进材料研发、生产和销售的集成电路企业，产品主要应用于集成电路芯片制造的先进制程，为客户提供半导体材料整体解决方案。
目前，恒坤股份已拥有超高纯前驱体、高端光刻胶2个生产基地，并设有多个技术服务中心。该公司已陆续取得国内外多家12英寸芯片制造企业的材料供应商资格，并实现批量供货，
规模30亿元！南安市产业基金将成立，重点投向半导体、光电信息等领域
据今日南安消息，3月28日，南安市人民政府、中信银行股份有限公司泉州分行、信银（深圳）股权投资基金管理有限公司、海克斯康制造智能技术（青岛）有限公司四方签署战略合作协议。
消息显示，根据协议，泉州市南翼投资集团有限公司联合信银（深圳）股权投资基金管理有限公司共同出资设立南安市产业基金，目标规模30亿元。南安市产业基金将重点围绕高端智能制造、新能源、半导体、光电信息等新兴技术产业为主要的投资方向，辐射石材、水暖等南安市支柱产业。
西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线通线
据西电芜湖研究院消息，3月25日，西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线成功通线，这标志着西电芜湖研究院半导体器件研发与产业化迎来了新的里程碑。
该项目建成后，将具备4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化镓外延材料生长到器件研制的全套工艺流程能力，有助于芜湖市解决半导体产业在知识产权培育和转化、特殊工艺与特色产品定制、中试规模的芯片可靠性评价体系建设等领域存在的难点、堵点。
光迅科技高端光电子器件产业基地建设项目一期主厂房和动力中心封顶
据中国光谷消息，3月24日，光迅科技高端光电子器件产业基地建设项目一期主厂房和动力中心封顶，比预定工期提前84天。
该项目位于东湖综保区，总建筑面积约15.8万平方米，拟建综合服务中心、研发中心、厂房、物流仓库等建筑及配套设施。项目于2022年10月开工，预计2024月3月底完工。
项目预计明年投入使用。建成后，将用于开展高速器件与模块的中试工艺验证与智能制造，研发生产面向5G和6G应用的高速光电子器件以及光收发模块产品。投产后，预计新增100亿元产值。
光迅科技是一家光电器件及模块厂商，专门从事光电芯片、器件、模块及系统产品研发、生产。
清华大学苏州汽车研究院联合至信微电子共建“碳化硅联合研发中心”
据清华大学苏州汽车研究院消息，3月24日，清华大学苏州汽车研究院和深圳市至信微电子在苏州吴江区正式签约共建“碳化硅联合研发中心”，旨在推动碳化硅技术在汽车电子领域的研究和运用，加速第三代半导体碳化硅在新能源车产线前端应用的落地与定制开发。
研发中心致力于建设成为国内一流的碳化硅芯片及其功率模组等技术创新研发平台、科技成果转化平台、碳化硅创新企业孵化平台、碳化硅技术服务平台和碳化硅专业人才培养平台。
“碳化硅器件的优异性能在提高电力利用效率的各解决方案中能够起到关键作用。越来越多车企开始在电驱系统中导入碳化硅SiC技术，随着绿色新能源经济的兴起，碳化硅是未来发展的重点之一。”至信微电子副总经理王仁震表示，希望通过与清华大学苏州汽车研究院的合作，共同研究和开发碳化硅材料在新能源汽车行业的相关应用技术，为各个领域的发展提供更好的落地解决方案。
科友半导体第三代半导体产学研聚集区二期工程将于近期开工
据黑龙江日报报道，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司(以下简称“科友半导体”)开发的高性能碳化硅长晶装备和高质量衬底产品实现规模化生产，形成了系列自主知识产权，获得授权专利达133项，并实现规模销售。
2018年，哈尔滨工业大学教授赵丽丽带领技术团队成立科友半导体，开展碳化硅高端装备设计及晶体材料研究。目前科友半导体已累计投入研发经费近2000万元，获得授权专利达133项。
科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题，突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术，完成了6英寸设备研制、生产线搭建、单晶衬底材料制备等，并在此基础上进一步实现了8英寸碳化硅单晶衬底制备。
科友半导体建设的省重点项目第三代半导体产学研聚集区一期工程已投入生产，碳化硅长晶炉、籽晶、衬底等产品受到市场广泛关注。根据报道，第三代半导体产学研聚集区二期工程将于近期开工建设，建成后将实现年产导电型碳化硅衬底15万片，科友的发展目标是成为全球第三代半导体关键材料供应商。
据哈尔滨新区发布此前消息，2020年7月3日，科友半导体产学研聚集区项目在哈尔滨新区江北一体发展区开工建设。科友半导体产学研聚集区由科友半导体和哈尔滨新区共同出资建设。
该项目一期计划投资10亿元，主要建设中俄第三代半导体研究院、中外联合技术创新中心、科友半导体衬底制备中心、科友半导体高端装备制造中心、国际孵化基地、科友半导体产品检验检测中心、人工宝石展览馆等项目。项目全部达产后，蕞终形成年产高导晶片近10万片，高纯半绝缘晶体1000公斤的产能；PVT-SIC晶体生长成套设备年产销200台套。
山西华芯半导体产业基地项目（二期）预计2023年底全面建成投产
据山西综改示范区官微消息，近日，山西综改示范区山西华芯半导体产业基地项目（二期）车间主体工程已开始建设，预计2023年底将全面建成投产。
山西华芯半导体产业基地是青岛华芯晶电科技有限公司在半导体产业的重大战略布局，计划总投资5.52亿元。目前，一期项目2022年已实现当年开工、当年投产、当年上规。二期项目全面建成投产后，将布局大尺寸蓝宝石生长、大尺寸磷化铟晶体生长加工、军工大尺寸透明装甲单晶生产研发、氧化镓晶体研发、生长及晶体加工项目，实现中高端半导体化合物材料全覆盖。
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